La croissance épitaxiale désigne la formation d'un cristal sur un autre. La structure cristalline du cristal initial détermine la croissance du cristal déposé. En d'autres termes, la croissance épitaxiale est le procédé de dépôt d'une fine couche (0.5 à 20 microns) de matériau monocristallin sur un substrat monocristallin, généralement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Quelles sont les applications des couches épitaxiales ?
Les applications des couches épitaxiales se situent dans divers segments :
- Dispositifs discrets et de puissance
- Épitaxial pour dispositifs MOS
- Circuits intégrés
- L'épitaxie est également utilisée dans les circuits CMOS VLSI.
- Les formes épitaxiales sont également utilisées dans les dispositifs unipolaires tels que les transistors à effet de champ à jonction (JFET), les VMOS et la technologie DRAM.
Quelles sont les techniques d’épitaxie du silicium ?
Certaines des techniques d'épitaxie du silicium sont-
1. Épitaxie en phase liquide : L’épitaxie en phase liquide (EPL) utilise une technique de dépôt en solution pour faire croître des cristaux sur un substrat. Ce dernier est immergé dans une solution saturée de soluté. De nombreux cristaux utilisés dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques modernes , tels que l’arséniure de gallium, sont cultivés par cette méthode.
2. Épitaxie par jets moléculaires (EJM) : Il s’agit d’une technique expérimentale permettant la croissance de couches minces de différents matériaux quantiques, couche par couche. L’EJM est l’une des techniques de croissance de couches minces les plus propres, mais aussi l’une des plus complexes et exigeantes sur le plan technique, car elle se déroule sous ultravide (UHV).
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