La croissance épitaxiale fait référence à la formation d'un cristal sur un autre. La structure réticulaire du cristal initial détermine la croissance du cristal déposé. En termes plus simples, la croissance épitaxiale consiste à déposer une fine couche (0.5 à 20 microns) de matériau monocristallin sur un substrat monocristallin, généralement par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
Quelles sont les applications des couches épitaxiales ?
Les applications des couches épitaxiales se situent dans divers segments :
- Dispositifs discrets et de puissance
- Épitaxial pour dispositifs MOS
- Circuits intégrés
- L'épitaxie est également utilisée dans les circuits CMOS VLSI.
- Les formes épitaxiales sont également utilisées dans les dispositifs unipolaires tels que les transistors à effet de champ à jonction (JFET), les VMOS et la technologie DRAM.
Quelles sont les techniques d’épitaxie du silicium ?
Certaines des techniques d'épitaxie du silicium sont-
1. Épitaxie en phase liquide : La technique de la solution est utilisée en épitaxie en phase liquide (EPL) pour faire croître des cristaux sur un substrat. Le substrat est immergé dans une quantité saturée de solution de soluté. De nombreux cristaux sont utilisés en électronique moderne et dispositifs optoélectroniques, comme l'arséniure de gallium, sont cultivés à l'aide de cette méthode.
2. Épitaxie par jets moléculaires (MBE) : Il s'agit d'une technique expérimentale permettant de faire croître des couches minces de différents matériaux quantiques, couche par couche. La MBE est l'une des techniques de croissance de couches minces les plus propres disponibles, mais aussi l'une des plus complexes et exigeantes techniquement, car la croissance MBE s'effectue sous ultravide (UHV).
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