Le clivage de films épitaxiaux latéraux pour transfert ou CLEFT est une méthode de production de cellules photovoltaïques à faible coût en arséniure de gallium (GaAs) dans laquelle un film mince de GaAs est cultivé sur un substrat épais monocristallin de GaAs (ou autre matériau approprié), puis séparé du substrat et intégré dans une cellule, permettant ainsi de réutiliser le substrat pour la croissance de films minces supplémentaires de GaAs.
Comment CLEFT aide à créer des cellules supplémentaires ?
La croissance de couches extrêmement fines d'arséniure de gallium fait partie de la technique CLEFT (clivage de films épitaxiaux latéraux pour transfert) (cellule solaire GaAs déposée sur une couche beaucoup plus épaisse du même matériau). Une fois la croissance terminée, la cellule solaire peut être facilement séparée par clivage du substrat beaucoup plus épais. Ce substrat épais permet de fabriquer des cellules supplémentaires, ce qui réduit le coût du matériau.
Quel est l’avenir de CLEFT ?
Des monocristaux de GaAs CLEFT de 2 cm de diamètre et d'une épaisseur inférieure à 10 µm ont été créés. Les récents progrès dans les technologies de préparation et de croissance des substrats ont permis d'étendre la méthode CLEFT à des plaquettes rondes de 2 cm de diamètre. Une couche de 2 cm de structures de cellules solaires a été créée puis simultanément détachée du substrat. Cette innovation ouvre la voie à la création de cellules solaires à couches minces très performantes pour de nombreuses applications terrestres. La limitation de taille actuelle est uniquement due au dispositif d'épitaxie utilisé. On estime que des couches CLEFT de plus grand diamètre sont facilement réalisables.
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