शोधकर्ता नए, बेहतर और अधिक कुशल सौर सेल बनाने की दौड़ में हैं। ऐसे ही एक प्रयास में, वैज्ञानिकों ने PECVD के साथ निर्मित 24.2% कुशल POLO बैक जंक्शन सौर सेल विकसित किया।
हैमेलिन सौर ऊर्जा अनुसंधान संस्थान (ISFH) और जर्मन सौर ऊर्जा उपकरण निर्माता सेंट्रोथर्म की टीम ने मिलकर काम किया है। उन्होंने उच्च दक्षता वाले n+ प्रकार के पॉलीसिलिकॉन ऑन ऑक्साइड (POLO) बैक जंक्शन सौर सेल विकसित किए हैं। इसके लिए, कम आवृत्ति वाले प्लाज्मा स्रोत से युक्त एक औद्योगिक प्लाज्मा-संवर्धित रासायनिक वाष्प निक्षेपण (PECVD) प्रणाली का उपयोग किया गया। इस उपकरण ने अधिक महंगे परमाणु परत निक्षेपण (ALD) विधि से निर्मित संदर्भ उपकरण की तुलना में थोड़ी अधिक दक्षता प्राप्त की। वैज्ञानिकों ने AIOx परत को निक्षेपित करने के लिए सेंट्रोथर्म की औद्योगिक बैच-प्रकार की LF-PECVD प्रणाली का उपयोग किया।
इस अध्ययन के प्रमुख लेखक ब्युंगसुल मिन ने कहा, “हमारे अध्ययन में पहली बार उत्कृष्ट पैसिवेशन गुणवत्ता के साथ अनडिफ्यूज्ड टेक्सचर्ड फ्रंट साइड के लिए एक प्रभावी औद्योगिक सफाई और पैसिवेशन दिखाया गया है। विशेष रूप से, एलऑक्स/सिनी पैसिवेशन लेयर स्टैक को कम आवृत्ति (एलएफ) प्लाज्मा स्रोत वाले औद्योगिक प्लाज्मा एनहांस्ड केमिकल वेपर डिपोजिशन (पेकवीडी) सिस्टम से निर्मित किया गया है, जो एटॉमिक लेयर डिपोजिशन (एएलडी) सिस्टम या उच्च आवृत्ति (एचएफ) प्लाज्मा स्रोत वाले पेकवीडी सिस्टम की तुलना में कहीं अधिक लागत प्रभावी है।”
मुख्य आकर्षण
- पोलो बैक जंक्शन सौर सेल को ज़ोक्रल्स्की द्वारा विकसित सिलिकॉन वेफर माप में डोप किया गया 156.75 मिमी x 156.75 मिमी.
- RSI प्रतिरोधकता सिलिकॉन वेफर का मान 0.73 Ωcm है।
- पोलो सेल ने हासिल की उपलब्धि: पावर रूपांतरण/दक्षता (24.2%), शॉर्ट-सर्किट करंट डेंसिटी (40.2 mA/cm2), फिल फैक्टर (83.0%), और ओपन सर्किट वोल्टेज (725 mV)। इन परिणामों की पुष्टि ISFH CalTeC द्वारा की गई।
- एक और उपकरण 0.9 Ωcm की प्रतिरोधकता के साथ एक बनावट वाले गैलियम-डोप्ड Czochralski-उगाए गए वेफर पर। इसमें ALD द्वारा जमा की गई AIOx की 10 एनएम मोटी परत और एक SiN y परत है।
- यह उपकरण हासिलदक्षता (24.1%), लघु-परिपथ धारा घनत्व (39.9 mA/cm2), भरण कारक (83.2%), और खुला परिपथ वोल्टेज (725 mV)।
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शोधकर्ताओं के अनुसार, "पोलो बी.जे. सौर कोशिकाओं के लिए हमारी वर्तमान प्रक्रिया प्रवाह में इस निष्क्रियता अनुक्रम का एकीकरण पोलो बी.जे. सौर कोशिकाओं के साथ सफलतापूर्वक प्रदर्शित किया गया है, जो प्रयोगशाला-स्तरीय प्रक्रियाओं के साथ निर्मित संदर्भ कोशिकाओं की तुलना में और भी अधिक उच्च सेल दक्षता दर्शाते हैं।"
स्रोत : AlOx/SiNy युक्त 24.2% दक्षता वाला POLO बैक जंक्शन सौर सेल
