O crescimento epitaxial refere-se à formação de um cristal sobre o outro. A estrutura de rede do cristal inicial direciona o crescimento do cristal depositado. Em termos mais simples, o crescimento epitaxial é o processo de depositar um revestimento fino (0.5 a 20 mícrons) de material monocristalino sobre um substrato monocristalino, tipicamente por deposição química de vapor (CVD).
Quais são as aplicações das camadas epitaxiais?
As aplicações das camadas epitaxiais estão em vários segmentos:
- Dispositivos discretos e de potência
- Epitaxial para dispositivos MOS
- Circuitos integrados
- A epitaxia também está sendo usada em circuitos CMOS VLSI.
- Formas epitaxiais também são usadas em dispositivos unipolares, como transistores de efeito de campo de junção (JFETs), VMOS e tecnologia DRAM.
Quais são algumas técnicas de epitaxia de silício?
Algumas das técnicas de epitaxia de silício são:
1. Epitaxia em fase líquida: A técnica de solução é usada em epitaxia de fase líquida (LPE) para fazer crescer cristais em um substrato. O substrato é imerso em uma quantidade saturada de solução de soluto. Muitos cristais usados em eletrônica moderna e dispositivos optoeletrônicos, como o arsenieto de gálio, são cultivados usando esse método.
2. Epitaxia de feixe molecular (MBE): É uma técnica experimental usada para cultivar filmes finos de diferentes materiais quânticos camada por camada. MBE é uma das técnicas de crescimento de filmes finos mais limpas disponíveis, mas também é uma das mais difíceis e exigentes tecnicamente, pois o crescimento de MBE ocorre em um ambiente de ultra-alto vácuo (UHV).
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