Ekstrinsik yarı iletken, elektriksel özelliklerini önemli ölçüde değiştirebilen ve bu sayede elektronik (diyotlar, transistörler, vb.) veya optoelektronik uygulamalar (ışık yayıcılar ve dedektörler) için ideal hale gelen belirli bir safsızlıkla katkılanmış bir yarı iletkendir.
Bu işlemde saf bir malzemeye herhangi bir uygun safsızlıktan küçük bir miktar eklenir ve iletkenliği kat kat artar. Ekstrinsik yarı iletken, safsızlık yarı iletkeni veya katkılı yarı iletken olarak da bilinir.
The safsızlıkların eklenmesi işlemine doping denirve safsızlık olarak kullanılan atomlara katkı maddeleri denir. takviyenin Malzemeye eklenen katyon, saf yarı iletkenin orijinal kafesinin bozulmayacağı şekilde seçilir.
Ayrıca, katkı maddeleri orijinal yarı iletkenin kristalinde yalnızca birkaç yeri doldurur ve katkı maddesinin boyutu yarı iletken atomlarının boyutuna neredeyse eşit olmalıdır.
Tetravalent Si veya Ge gibi bir malzemenin dopinglenmesi sürecinde iki tür dopant kullanılır:
- Beş değerlikli elementler veya değerliği 5 olan atomlar arasında arsenik (As), fosfor (Pi), antimon (Sb) ve diğerleri bulunur.
- Üç değerlikli elementler veya değerliği 3 olan atomlar; örneğin indiyum (In), alüminyum (Al), bor (B) vb.
P-Tipi Yarıiletkenler
AP tipi yarı iletken, bir öz yarı iletkendir (Si gibi) kabul edici safsızlık (Si'deki bor B gibi) kasıtlı olarak eklenmiştir.
Bu safsızlıklar, kristalin içine bir kez sokulduğunda, alıcılar olarak bilinirler. kafes, kristalin geri kalanıyla tam bağ kurmak için gereken bir veya daha fazla elektrondan yoksundurlar.
Harici yarı iletkenlerde katkı yoğunluğu her zaman içsel taşıyıcı yoğunluğundan çok daha büyüktür: NA>>ni. p tipi bir malzemedeki delik yoğunluğu daha sonra katkı yoğunluğu NA'ya yakındır.
Ayrıca Oku: Amorf Yarıiletken Nedir?
N-Tipi Yarıiletkenler
AN – Yarı iletken türü, bir iç yarı iletkendir (örneğin, silikon Si) kasıtlı olarak eklenen donör kirliliği (örneğin, Si'deki arsenik As veya GaAs'deki Si). Verici safsızlıklar bu şekilde adlandırılır çünkü komşu atomlarla tüm bağları oluşturmak için iletim bandına ek bir elektron katmak zorundadırlar.
