用于转移或 CLEFT 的横向外延膜的裂解 是一种生产低成本砷化镓（GaAs）光伏电池的方法 其中，GaAs 薄膜在厚的单晶 GaAs（或其他合适材料）基板上生长，然后从基板上分离并集成到电池中，从而允许基板重新用于生长额外的 GaAs 薄膜。
CLEFT 如何帮助产生额外的细胞？
生长极薄的砷化镓是 CLEFT（横向外延膜切割转移）技术（在相同材料的更厚层上制作砷化镓太阳能电池）的一部分。太阳能电池 生长过程完成后可以轻松分离 通过从更厚的基底上切割下来来实现。厚基底可以用来制造额外的细胞，从而降低细胞材料的价格。
CLEFT 的未来会怎样？
直径 2 英寸、厚度小于 10 厚度为微米 已经创造出来。基板制备和生长技术的最新进展使得CLEFT方法能够扩展到整个2英寸圆形晶圆。一层2英寸厚的太阳能电池结构已经创建，并同时从基板上移除。这项创新 提高了制造高效薄膜太阳能电池的可能性或广泛的地面应用。目前尺寸限制的唯一原因是目前用于这项工作的外延设备。人们相信，更大直径的CLEFT层很容易实现。
