Epitaktisches Wachstum bezeichnet die Bildung eines Kristalls auf einem anderen. Die Gitterstruktur des Ausgangskristalls bestimmt das Wachstum des abgeschiedenen Kristalls. Vereinfacht ausgedrückt ist epitaktisches Wachstum der Prozess der Abscheidung einer dünnen Schicht (0.5 bis 20 Mikrometer) aus einkristallinem Material auf einem einkristallinen Substrat, typischerweise mittels chemischer Gasphasenabscheidung (CVD).
Welche Anwendungen gibt es für epitaktische Schichten?
Die Anwendungen epitaktischer Schichten liegen in verschiedenen Segmenten:
- Diskrete und Leistungsgeräte
- Epitaxie für MOS-Geräte
- Integrierte Schaltkreise
- Epitaxie wird auch in CMOS-VLSI-Schaltungen verwendet.
- Epitaktische Formen werden auch in unipolaren Geräten wie Junction-Feldeffekttransistoren (JFETs), VMOS und DRAM-Technologie verwendet.
Welche Techniken gibt es zur Siliziumepitaxie?
Einige der Silizium-Epitaxie-Techniken sind:
1. Flüssigphasenepitaxie: Bei der Flüssigphasenepitaxie (LPE) werden Kristalle mithilfe der Lösungsmethode auf einem Substrat gezüchtet. Das Substrat wird in eine gesättigte Lösung des Kristallisationsmittels eingetaucht. Viele in der modernen Elektronik und Optoelektronik verwendete Kristalle , wie beispielsweise Galliumarsenid, werden mit diesem Verfahren hergestellt.
2. Molekularstrahlepitaxie (MBE): Dies ist eine experimentelle Technik zur schichtweisen Herstellung dünner Filme verschiedener Quantenmaterialien. MBE zählt zu den saubersten verfügbaren Dünnschichtverfahren, ist aber aufgrund des Ultrahochvakuums (UHV) auch eines der technisch anspruchsvollsten.
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