El proceso Czochralski es un proceso que Implica enfriar cuidadosamente las temperaturas mientras se levanta lentamente un cristal semilla. a partir de una solución fundida del material para crear enormes cristales semiconductores de alta calidad.
El procedimiento Czochralski (Cz) se conoce a menudo como extracción de la masa fundida o extracción de cristales. En este procedimiento, primero se funde el silicio (Si) y luego se deja solidificar cuidadosamente hasta alcanzar un estado cristalino. Este método tiene la ventaja de ser rápido y muy controlable. El proceso Cz se ha consolidado como un método fiable para la producción de cristales de silicio monocristalino de alta pureza, principalmente para las industrias de semiconductores y solar (en la industria informática para circuitos integrados y en... tecnología de microsistemas) Usted se beneficia de la excelente eficacia y calidad de los cristales desarrollados.
¿Cómo se realiza el proceso Czochralski?
En primer lugar, un sistema de extracción de un solo cristal El crisol de sílice está lleno de silicio policristalino de alta pureza.El silicio se funde mediante un calentador resistivo en un ambiente controlado con argón. Una vez que la temperatura de fusión (cuyo punto de fusión es de aproximadamente 1,412 °C) alcanza un nivel estable, se sumerge un cristal semilla de silicio monocristalino giratorio. La cristalización del silicio en el cristal semilla se inicia con una ligera reducción de temperatura. A medida que este se arrastra suavemente hacia arriba, se forma un monocristal cilíndrico de silicio que cuelga del cristal semilla. Un monocristal de silicio con la misma orientación y composición estructural que el cristal semilla se puede extraer con un diámetro constante controlando la temperatura y la velocidad de extracción.
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