Los investigadores se esfuerzan por crear células solares nuevas, mejores y más eficientes. En uno de estos intentos, los científicos desarrollaron una célula solar de unión posterior POLO con una eficiencia del 24.2 % construida mediante PECVD.
El equipo del Instituto de Investigación de Energía Solar de Hamelín (ISFH) y el fabricante alemán de equipos fotovoltaicos Centrotherm colaboraron en el desarrollo de células solares de unión posterior de polisilicio sobre óxido (POLO) de tipo n+ de alta eficiencia. Para ello, se utilizó un sistema industrial de deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD) con una fuente de plasma de baja frecuencia. El dispositivo alcanzó una eficiencia ligeramente superior a la del dispositivo de referencia fabricado mediante deposición de capas atómicas (ALD), un método más costoso. Los científicos emplearon un sistema industrial de LF-PECVD por lotes de Centrotherm para depositar la capa AIOx.
El autor principal del estudio, Byungsul Min, afirmó: «Nuestro estudio demuestra por primera vez una limpieza y pasivación industrial eficaz para la superficie frontal texturizada no difuminada, con una excelente calidad de pasivación. En particular, la pila de capas de pasivación AlOx/SiNy se fabrica con un sistema industrial de deposición química en fase vapor asistida por plasma (PECVD) con una fuente de plasma de baja frecuencia (LF), que resulta mucho más rentable que los sistemas de deposición de capas atómicas (ALD) o los sistemas PECVD con una fuente de plasma de alta frecuencia (HF)».
Destacados
- La célula solar de unión posterior POLO dopada con una oblea de silicio cultivada mediante Czochralski mide 156.75 mm x mm 156.75.
- El resistividad de la oblea de silicio es de 0.73 Ωcm.
- La célula POLO logróConversión/eficiencia de potencia (24.2 %), densidad de corriente de cortocircuito (40.2 mA/cm²), factor de llenado (2 %) y tensión de circuito abierto (83.0 mV). Estos resultados fueron confirmados por ISFH CalTeC.
- Otro dispositivo Sobre una oblea texturizada dopada con galio, cultivada mediante el método Czochralski, con una resistividad de 0.9 Ωcm. Presenta una capa de AIOx de 10 nm de espesor depositada mediante ALD y una capa de SiN y.
- Este dispositivo alcanzado: eficiencia (24.1%), densidad de corriente de cortocircuito (39.9 mA/cm2), factor de llenado (83.2%) y voltaje de circuito abierto (725 mV).
Módulo solar en tándem de silicio perovskita con una eficiencia del 28 % de PeroNova
Según los investigadores, “La integración de esta secuencia de pasivación en nuestro flujo de proceso actual para células solares POLO BJ se ha demostrado con éxito con las células solares POLO BJ, que muestran eficiencias celulares incluso mayores que las de referencia fabricadas con procesos a escala de laboratorio”.
Fuente : Célula solar de unión posterior POLO con una eficiencia del 24.2% y un AlOx/SiNy
