Epitaksiaalinen kasvu viittaa yhden kiteen muodostumiseen toisen päälle. Alkuperäisen kiteen hilarakenne ohjaa kerrostuneen kiteen kasvua. Yksinkertaisemmin sanottuna epitaksiaalinen kasvu on prosessi, jossa ohut (0.5–20 mikronia) yksikiteistä materiaalia kerrostetaan yksikiteisen alustan päälle, tyypillisesti kemiallisen höyrypinnoituksen (CVD) avulla.
Mitkä ovat epitaksiaalisten kerrosten sovellukset?
Epitaksiaalisten kerrosten sovellukset ovat useissa segmenteissä:
- Erilliset ja teholaitteet
- Epitaksiaalinen MOS-laitteille
- Integroidut piirit
- Epitaksia käytetään myös CMOS VLSI -piireissä.
- Epitaksiaalisia muotoja käytetään myös unipolaarisissa laitteissa, kuten liitoskenttätransistoreissa (JFET), VMOS- ja DRAM-tekniikassa.
Mitkä ovat joitakin silikoniepitaksian tekniikoita?
Jotkut piin epitaksitekniikat ovat
1. Nestefaasiepitaksi: Liuostekniikkaa käytetään nestefaasiepitaksiassa (LPE) kiteiden kasvattamiseen alustalle. Alusta upotetaan kylläiseen määrään liuotettavaa ainetta. Tällä menetelmällä kasvatetaan monia nykyaikaisessa elektroniikassa ja optoelektronisissa laitteissa käytettyjä kiteitä , kuten galliumarsenidia.
2. Molekyylisuihkuepitaksi (MBE): Se on kokeellinen tekniikka, jota käytetään erilaisten kvanttimateriaalien ohuiden kalvojen kasvattamiseen kerros kerrokselta. MBE on yksi puhtaimmista saatavilla olevista ohutkalvokasvatustekniikoista, mutta se on myös yksi teknisesti vaikeimmista ja vaativimmista, koska MBE:n kasvatus tapahtuu erittäin korkeavakuumiympäristössä (UHV).
Lue myös : Mikä on kiteinen pii?
