Sivuttaisten epitaksiaalisten kalvojen halkaisu siirtoa varten eli CLEFT on menetelmä edullisten galliumarsenidi (GaAs) -aurinkokennojen tuottamiseksi , jossa ohut GaAs-kalvo kasvatetaan paksun, yksikiteisen GaAs-substraatin (tai muun sopivan materiaalin) päälle ja erotetaan sitten substraatista ja integroidaan kennoon, jolloin substraattia voidaan käyttää uudelleen uusien ohuiden GaAs-kalvojen kasvattamiseen.
Kuinka CLEFT auttaa luomaan ylimääräisiä soluja?
Äärimmäisen ohuen galliumarsenidin kasvattaminen on osa CLEFT-tekniikkaa (Clevage of lateral epitaxial films for transfer, GaAs-aurinkokenno paljon paksummalle saman materiaalin kerrokselle). Aurinkokenno voidaan helposti erottaa kasvuprosessin päätyttyä halkaisemalla se paljon paksummasta substraatista. Paksua substraattia voidaan käyttää ylimääräisten kennojen luomiseen, mikä alentaa kennomateriaalin hintaa.
Mikä on CLEFTin tulevaisuus?
On kehitetty GaAs CLEFT -yksikidekerroksia, joiden halkaisija on 2 tuumaa ja paksuus alle 10 mikronia . Substraattien valmistus- ja kasvatustekniikoiden viimeaikainen kehitys mahdollisti CLEFT-menetelmän skaalaamisen kokonaisiin 2 tuuman pyöreihin kiekkoihin. Substraatista on luotu ja samanaikaisesti poistettu 2 tuuman kerros aurinkokennorakenteita. Tämä innovaatio lisää todennäköisyyttä luoda erittäin tehokkaita ohutkalvoisia aurinkokennoja laajoihin maanpäällisiin sovelluksiin. Ainoa syy nykyiseen kokorajoitukseen on tässä työssä tällä hetkellä käytössä oleva epitaksiaalinen laite. Uskotaan, että suurempien halkaisijoiden CLEFT-kerrosten toteuttaminen on helppoa.
Suositus: Mitä on lateraalisten epitaksiaalisten kalvojen halkaisu siirtoa varten (CLEFT)?
