बाधा ऊर्जा है कोशिका झिल्ली को पार करते समय इलेक्ट्रॉन द्वारा व्यय की गई ऊर्जा; यह अवरोध की इलेक्ट्रोस्टेटिक क्षमता के लिए एक गेज के रूप में कार्य करता है।
ऊर्जा अवरोधक के रूप में जाना जाने वाला एक संभावित क्षेत्र का उपयोग किया जा सकता है आवेशित कणों की गति को स्थानीयकृत या नियंत्रित करना, जैसे इलेक्ट्रॉन। नैनोमॉर्फिक जैसे माइक्रोन-स्केल सिस्टम बनाने के लिए आवश्यक हर घटक सेल कार्य करने के लिए ऊर्जा बाधाओं पर निर्भर करता है।
परमाणु अवरोध के प्रवेश की संभावना पर, आसपास के इलेक्ट्रॉनों की क्रिया को ध्यान में रखा जाता है। भारी परमाणुओं के लिए, परमाणु क्षमता को बाहर निकाल दिया जाता है फर्मि-थॉमस संभावित, और बहुत हल्के परमाणुओं के लिए, एक स्थिर इलेक्ट्रॉन-घनत्व मॉडल से व्युत्पन्न क्षमता के लिए।
विद्युत स्थितिज ऊर्जा क्या है?
इसके लिए आवश्यक शक्ति विद्युत क्षेत्र के विपरीत दिशा में आवेश को ले जाना विद्युत संभावित ऊर्जा के रूप में जाना जाता है। एक आवेश को अधिक ऊर्जा के साथ एक मजबूत विद्युत क्षेत्र के माध्यम से ले जाना चाहिए, लेकिन इसे अधिक ऊर्जा के साथ एक कमजोर विद्युत क्षेत्र के माध्यम से भी ले जाना चाहिए।
एक बड़ी ऋणात्मक आवेशित प्लेट पर विचार करें, जिस पर विद्युत के बल द्वारा एक छोटा धनात्मक आवेशित कण चिपका हुआ है। प्लेट के चारों ओर एक विद्युत क्षेत्र है जो धनात्मक आवेश वाली किसी भी वस्तु को अपनी ओर आकर्षित कर रहा है (जबकि अन्य ऋणात्मक आवेशित वस्तुओं को दूर धकेल रहा है)।
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विद्युत क्षेत्र के बल के बावजूद, आप सकारात्मक कण को प्लेट से दूर खींचना शुरू कर देते हैं। विद्युत बल उन्हें एक साथ खींच रहा है, जिससे काम करना मुश्किल हो रहा है। विद्युत बल उन्हें एक साथ लाएगा। धनात्मक कण को ऋणात्मक प्लेट पर वापस लाना यदि आप इसे छोड़ देते हैं। कण उस ऊर्जा को संग्रहीत करता है जिसका उपयोग आपने इसे प्लेट से दूर धकेलने के लिए किया था, विद्युत संभावित ऊर्जा के रूप में। जब एक कण को छोड़ा जाता है, तो उसमें पलायन करने की क्षमता होती है।
