La crescita epitassica si riferisce alla formazione di un cristallo sopra un altro. La struttura reticolare del cristallo iniziale dirige la crescita del cristallo depositato. In termini più semplici, la crescita epitassiale è il processo di deposito di un sottile rivestimento (da 0.5 a 20 micron) di materiale monocristallino su un substrato monocristallino, in genere tramite deposizione chimica da vapore (CVD).
Quali sono le applicazioni degli strati epitassici?
Le applicazioni degli strati epitassici sono in vari segmenti:
- Dispositivi discreti e di potenza
- Epitassiale per dispositivi MOS
- Circuiti integrati
- L'epitassia viene utilizzata anche nei circuiti CMOS VLSI.
- Le forme epitassiche vengono utilizzate anche in dispositivi unipolari come i transistor a effetto di campo a giunzione (JFET), VMOS e la tecnologia DRAM.
Quali sono alcune tecniche di epitassia al silicio?
Alcune delle tecniche di epitassia al silicio sono:
1. Epitassia in fase liquida: La tecnica della soluzione è utilizzata nell'epitassia in fase liquida (LPE) per far crescere cristalli su un substrato. Il substrato è immerso in una quantità satura di soluzione di soluto. Molti cristalli utilizzati nell'elettronica moderna e dispositivi optoelettronici, come l'arseniuro di gallio, vengono coltivati utilizzando questo metodo.
2. Epitassia a fasci molecolari (MBE): Si tratta di una tecnica sperimentale utilizzata per far crescere film sottili di diversi materiali quantici strato per strato. MBE è una delle tecniche di crescita di film sottili più pulite disponibili, ma è anche una delle più difficili e impegnative dal punto di vista tecnico, poiché la crescita MBE avviene in un ambiente di ultra-alto vuoto (UHV).
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