Epitaxiale groei verwijst naar de vorming van een kristal bovenop een ander kristal. De roosterstructuur van het oorspronkelijke kristal stuurt de groei van het afgezette kristal. Eenvoudiger gezegd is epitaxiale groei het proces waarbij een dunne laag (0.5 tot 20 micrometer) van eenkristallijn materiaal wordt aangebracht op een eenkristallijn substraat, meestal via chemische dampafzetting (CVD).
Wat zijn de toepassingen van epitaxiale lagen?
De toepassingen van epitaxiale lagen bevinden zich in verschillende segmenten:
- Discrete en krachtige apparaten
- Epitaxiaal voor MOS-apparaten
- Geïntegreerde schakelingen
- Epitaxie wordt ook gebruikt in CMOS VLSI-schakelingen.
- Epitaxiale vormen worden ook gebruikt in unipolaire apparaten zoals junctieveldeffecttransistoren (JFET's), VMOS en DRAM-technologie.
Wat zijn enkele technieken voor silicium-epitaxie?
Enkele van de silicium-epitaxietechnieken zijn:
1. Vloeistoffase-epitaxie: Bij vloeistoffase-epitaxie (LPE) wordt de oplossingstechniek gebruikt om kristallen op een substraat te laten groeien. Het substraat wordt ondergedompeld in een verzadigde hoeveelheid opgeloste stof. Veel kristallen die in moderne elektronica en opto-elektronische apparaten worden gebruikt , zoals galliumarsenide, worden met deze methode gekweekt.
2. Moleculaire bundelepitaxie (MBE): Dit is een experimentele techniek die wordt gebruikt om dunne films van verschillende kwantummaterialen laagje voor laagje te laten groeien. MBE is een van de schoonste technieken voor het laten groeien van dunne films die er zijn, maar het is ook een van de technisch meest complexe en veeleisende, omdat MBE-groei plaatsvindt in een ultrahoog vacuüm (UHV) omgeving.
Lees ook : Wat is kristallijn silicium?
