Wzrost epitaksjalny odnosi się do formowania jednego kryształu na drugim. Struktura sieciowa początkowego kryształu kieruje wzrostem osadzanego kryształu. Mówiąc prościej, wzrost epitaksjalny to proces osadzania cienkiej powłoki (o grubości od 0.5 do 20 mikronów) monokrystalicznego materiału na monokrystalicznym podłożu, zazwyczaj poprzez chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD).
Jakie są zastosowania warstw epitaksjalnych?
Zastosowania warstw epitaksjalnych obejmują różne segmenty:
- Urządzenia dyskretne i mocy
- Epitaksjalne dla urządzeń MOS
- Układy scalone
- Epitaksję wykorzystuje się również w układach CMOS VLSI.
- Kształty epitaksjalne są również stosowane w urządzeniach unipolarnych, takich jak tranzystory polowe złączowe (JFET), układy VMOS i technologia DRAM.
Jakie są techniki epitaksji krzemowej?
Niektóre z technik epitaksji krzemu to:
1. Epitaksja w fazie ciekłej: Technika roztworowa jest stosowana w epitaksji w fazie ciekłej (LPE) do hodowli kryształów na podłożu. Podłoże jest zanurzane w nasyconej ilości roztworu. Wiele kryształów stosowanych we współczesnej elektronice i urządzeniach optoelektronicznych , takich jak arsenek galu, jest hodowanych tą metodą.
2. Epitaksja z wiązek molekularnych (MBE): Technika eksperymentalna służąca do hodowli cienkich warstw różnych materiałów kwantowych warstwa po warstwie. MBE to jedna z najczystszych dostępnych technik hodowli cienkich warstw, ale jednocześnie jedna z najtrudniejszych i najbardziej wymagających technicznie, ponieważ wzrost MBE odbywa się w środowisku ultrawysokiej próżni (UHV).
Przeczytaj także : Czym jest krzem krystaliczny?
