Rozszczepianie bocznych warstw epitaksjalnych do transferu, czyli CLEFT, to metoda produkcji tanich ogniw fotowoltaicznych z arsenku galu (GaAs), w której cienka warstwa GaAs jest hodowana na grubym, monokrystalicznym podłożu GaAs (lub innym odpowiednim materiale), a następnie oddzielana od podłoża i integrowana z ogniwem, co pozwala na ponowne wykorzystanie podłoża do hodowli kolejnych cienkich warstw GaAs.
W jaki sposób CLEFT pomaga w tworzeniu dodatkowych komórek?
Hodowanie niezwykle cienkich warstw arsenku galu jest częścią techniki CLEFT (rozszczepiania bocznych warstw epitaksjalnych w celu transferu) (ogniwo słoneczne GaAs na znacznie grubszej warstwie tego samego materiału). Ogniwo słoneczne można łatwo rozdzielić po zakończeniu procesu wzrostu, odszczepiając je od znacznie grubszego podłoża. Grube podłoże można wykorzystać do produkcji dodatkowych ogniw, co obniża cenę materiału ogniw.
Jaka jest przyszłość CLEFT?
Stworzono monokrystaliczne warstwy GaAs CLEFT o średnicy 2 cali i grubości poniżej 10 mikronów . Najnowsze osiągnięcia w zakresie przygotowania podłoża i technologii wzrostu pozwoliły na skalowanie metody CLEFT do całych 2-calowych okrągłych płytek. Stworzono 2-calową warstwę struktur ogniw słonecznych i jednocześnie usunięto ją z podłoża. Ta innowacja zwiększa prawdopodobieństwo stworzenia wysoce efektywnych cienkowarstwowych ogniw słonecznych do szerokiego zakresu zastosowań naziemnych. Jedynym powodem obecnego ograniczenia rozmiaru jest obecnie używany w tych badaniach aparat epitaksjalny. Uważa się, że warstwy CLEFT o większej średnicy są łatwe do uzyskania.
Polecane: Czym jest rozszczepianie bocznych warstw epitaksjalnych w celu transferu (CLEFT)?
