O crescimento epitaxial refere-se à formação de um cristal sobre outro. A estrutura cristalina do cristal inicial direciona o crescimento do cristal depositado. Em termos mais simples, o crescimento epitaxial é o processo de deposição de uma fina camada (0.5 a 20 micrômetros) de material monocristalino sobre um substrato monocristalino, tipicamente por meio de deposição química de vapor (CVD).
Quais são as aplicações das camadas epitaxiais?
As aplicações das camadas epitaxiais estão em vários segmentos:
- Dispositivos discretos e de potência
- Epitaxial para dispositivos MOS
- Circuitos integrados
- A epitaxia também está sendo usada em circuitos CMOS VLSI.
- Formas epitaxiais também são usadas em dispositivos unipolares, como transistores de efeito de campo de junção (JFETs), VMOS e tecnologia DRAM.
Quais são algumas técnicas de epitaxia de silício?
Algumas das técnicas de epitaxia de silício são:
1. Epitaxia em Fase Líquida: A técnica de solução é utilizada na epitaxia em fase líquida (LPE) para o crescimento de cristais sobre um substrato. O substrato é imerso em uma quantidade saturada de solução de soluto. Muitos cristais utilizados em dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos modernos , como o arseneto de gálio, são cultivados utilizando este método.
2. Epitaxia por Feixe Molecular (MBE): É uma técnica experimental utilizada para o crescimento de filmes finos de diferentes materiais quânticos, camada por camada. A MBE é uma das técnicas de crescimento de filmes finos mais limpas disponíveis, mas também uma das mais difíceis e exigentes tecnicamente, visto que o crescimento por MBE ocorre em um ambiente de ultra-alto vácuo (UHV).
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