Процесс Чохральского — это процесс, включающий в себя тщательное охлаждение при медленном извлечении затравки из расплавленного раствора материала для создания огромных высококачественных полупроводниковых кристаллов.
Метод Чохральского (Ч) часто называют вытягиванием из расплава или кристаллизацией. В этом методе кремний (Si) сначала расплавляется, а затем ему осторожно дают замерзнуть до кристаллического состояния. Преимуществом такого подхода является его быстрота и высокая степень контроля. Метод Чохральского зарекомендовал себя как надежный способ получения высокочистых монокристаллических кристаллов кремния, в первую очередь для полупроводниковой и солнечной промышленности (в компьютерной индустрии для интегральных схем и в микросистемной технике ). Вы получаете выгоду от превосходной эффективности и качества полученных кристаллов.
Как осуществляется метод Чохральского?
Сначала тигель из кварцевого стекла в системе для вытягивания монокристаллов заполняется поликристаллическим кремнием высокой чистоты , который затем нагревается с помощью резистивного нагревателя до расплавления в контролируемой среде аргона. Вращающийся монокристаллический затравочный кристалл кремния погружается в расплав, как только температура расплава (температура плавления которого составляет около 1,412 °C) достигает стабильного уровня. Кристаллизация кремния на затравочном кристалле начинается с небольшого снижения температуры. Цилиндрический монокристалл кремния, подвешенный на затравочном кристалле, начинает формироваться по мере того, как затравочный кристалл осторожно поднимается вверх. Монокристалл кремния с той же ориентацией и структурным составом, что и затравочный кристалл, может быть вытянут с постоянным диаметром путем контроля температуры и скорости вытягивания.
Рекомендуем: Что такое кристаллический кремниевый солнечный элемент?
