Метод расщепления латеральных эпитаксиальных пленок для переноса (CLEFT) — это способ производства недорогих фотоэлектрических элементов на основе арсенида галлия (GaAs), в которых тонкая пленка GaAs выращивается на толстой монокристаллической подложке из GaAs (или другого подходящего материала), а затем отделяется от подложки и интегрируется в элемент, что позволяет повторно использовать подложку для выращивания дополнительных тонких пленок GaAs.
Как CLEFT помогает создавать дополнительные клетки?
Выращивание чрезвычайно тонких пленок арсенида галлия является частью технологии CLEFT (расщепление латеральных эпитаксиальных пленок для переноса) (солнечные элементы на основе GaAs на гораздо более толстом слое того же материала). Солнечный элемент можно легко отделить после завершения процесса роста путем расщепления от гораздо более толстой подложки. Толстая подложка может быть использована для создания дополнительных элементов, что снижает стоимость материала для элементов.
Каково будущее CLEFT?
Были созданы монокристаллические слои GaAs, полученные методом CLEFT, диаметром 2 дюйма и толщиной менее 10 микрон . Последние достижения в технологиях подготовки подложек и выращивания позволили масштабировать метод CLEFT до целых круглых пластин диаметром 2 дюйма. Был создан и одновременно удален с подложки 2-дюймовый слой солнечных элементов. Это нововведение повышает вероятность создания высокоэффективных тонкопленочных солнечных элементов для широкого спектра наземных применений. Единственной причиной текущего ограничения по размеру является используемое в настоящее время эпитаксиальное оборудование. Считается, что легко можно получить слои CLEFT большего диаметра.
Рекомендуется: Что такое расщепление латеральных эпитаксиальных пленок для переноса (CLEFT)?
