Klyvning av laterala epitaxiella filmer för överföring eller CLEFT är en metod för att producera billiga galliumarsenid (GaAs) fotovoltaiska celler där en tunn film av GaAs odlas ovanpå ett tjockt, enkristalligt GaAs-substrat (eller annat lämpligt material) och sedan separeras från substratet och integreras i en cell, vilket gör att substratet kan återanvändas för tillväxt av ytterligare tunna filmer av GaAs.
Hur CLEFT hjälper till att skapa extra celler?
Att odla extremt tunn galliumarsenid är en del av CLEFT-tekniken (cleavage of lateral epitaxial films for transfer) (GaAs-solcell på ett mycket tjockare lager av samma material). En solcell kan enkelt separeras när tillväxtprocessen är avslutad genom att klyva den från ett mycket tjockare substrat. Ett tjockt substrat kan användas för att skapa extra celler, vilket sänker priset på cellmaterialet.
Vad är framtiden för CLEFT?
GaAs CLEFT-enkristallskikt med 2 cm diameter och mindre än 10 mikron tjocklek har skapats. Den senaste utvecklingen inom substratberedning och tillväxtteknik har gjort det möjligt att skala upp CLEFT-metoden till hela 2 cm runda wafers. Ett 2 cm lager av solcellsstrukturer har skapats och samtidigt tagits bort från substratet. Denna innovation ökar sannolikheten för att skapa mycket effektiva tunnfilmssolceller för omfattande markbundna tillämpningar. Den enda anledningen till den nuvarande storleksbegränsningen är den epitaxiella apparat som för närvarande används för detta arbete. Man tror att CLEFT-skikt med större diameter är lätta att realisera.
Rekommenderas: Vad är klyvning av laterala epitaxiella filmer för överföring (CLEFT)?
