外延生长是指一个晶体在另一个晶体之上形成的过程。初始晶体的晶格结构决定了沉积晶体的生长方向。简单来说，外延生长是将一层薄薄的（0.5至20微米）单晶材料沉积在单晶衬底上的过程，通常采用化学气相沉积（CVD）法。
外延层有哪些应用？
外延层的应用领域很广泛：
- 分立器件和功率器件
- MOS 器件外延
- 集成电路
- 外延技术也用于 CMOS VLSI 电路。
- 外延形状也用于单极器件，例如结型场效应晶体管 (JFET)、VMOS 和 DRAM 技术。
硅外延有哪些技术？
一些硅外延技术包括：
1. 液相外延：液相外延（LPE）是一种溶液技术，用于在衬底上生长晶体。衬底浸入饱和溶质溶液中。许多用于现代电子和光电子器件的晶体，例如砷化镓，都是用这种方法生长的。
2. 分子束外延（MBE）：这是一种用于逐层生长不同量子材料薄膜的实验技术。MBE是目前最洁净的薄膜生长技术之一，但同时也是技术难度最高、要求最苛刻的技术之一，因为MBE生长需要在超高真空（UHV）环境下进行。
另请阅读：什么是晶体硅？
