El crecimiento epitaxial Se refiere a la formación de un cristal sobre otro. La estructura reticular del cristal inicial dirige el crecimiento del cristal depositado. En términos más simples, el crecimiento epitaxial es el proceso de depositar una fina capa (de 0.5 a 20 micras) de material monocristalino sobre un sustrato monocristalino, generalmente mediante deposición química en fase de vapor (CVD).
¿Cuáles son las aplicaciones de las capas epitaxiales?
Las aplicaciones de las capas epitaxiales se encuentran en diversos segmentos:
- Dispositivos discretos y de potencia
- Epitaxial para dispositivos MOS
- Circuitos integrados
- La epitaxia también se utiliza en circuitos CMOS VLSI.
- Las formas epitaxiales también se utilizan en dispositivos unipolares como transistores de efecto de campo de unión (JFET), VMOS y tecnología DRAM.
¿Cuáles son algunas técnicas de epitaxia de silicio?
Algunas de las técnicas de epitaxia de silicio son:
1. Epitaxia en fase líquida: La técnica de solución se utiliza en la epitaxia en fase líquida (EPL) para el crecimiento de cristales sobre un sustrato. El sustrato se sumerge en una cantidad saturada de solución de soluto. Muchos cristales utilizados en la electrónica moderna y... dispositivos optoelectrónicos, como el arseniuro de galio, se cultivan utilizando este método.
2. Epitaxia de haz molecular (MBE): Es una técnica experimental que se utiliza para el crecimiento de películas delgadas de diferentes materiales cuánticos capa a capa. El MBE es una de las técnicas de crecimiento de películas delgadas más limpias disponibles, pero también una de las más complejas y exigentes técnicamente, ya que el crecimiento de MBE se produce en un entorno de ultra alto vacío (UHV).
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