El crecimiento epitaxial se refiere a la formación de un cristal sobre otro. La estructura reticular del cristal inicial dirige el crecimiento del cristal depositado. En términos más sencillos, el crecimiento epitaxial es el proceso de depositar una capa delgada (de 0.5 a 20 micras) de material monocristalino sobre un sustrato monocristalino, generalmente mediante deposición química de vapor (CVD).
¿Cuáles son las aplicaciones de las capas epitaxiales?
Las aplicaciones de las capas epitaxiales se encuentran en diversos segmentos:
- Dispositivos discretos y de potencia
- Epitaxial para dispositivos MOS
- Circuitos integrados
- La epitaxia también se utiliza en circuitos CMOS VLSI.
- Las formas epitaxiales también se utilizan en dispositivos unipolares como transistores de efecto de campo de unión (JFET), VMOS y tecnología DRAM.
¿Cuáles son algunas técnicas de epitaxia de silicio?
Algunas de las técnicas de epitaxia de silicio son:
1. Epitaxia en fase líquida: La técnica de solución se utiliza en la epitaxia en fase líquida (EFL) para el crecimiento de cristales sobre un sustrato. El sustrato se sumerge en una cantidad saturada de solución de soluto. Muchos cristales utilizados en la electrónica y los dispositivos optoelectrónicos modernos , como el arseniuro de galio, se cultivan mediante este método.
2. Epitaxia de haces moleculares (MBE): Es una técnica experimental que se utiliza para cultivar películas delgadas de diferentes materiales cuánticos capa a capa. La MBE es una de las técnicas de crecimiento de películas delgadas más limpias disponibles, pero también una de las más difíciles y exigentes técnicamente, ya que el crecimiento mediante MBE se lleva a cabo en un entorno de ultra alto vacío (UHV).
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