Kennoeste on aurinkokenno rajapinta positiivisen ja negatiivisen kerroksen välillä, jolla on hyvin kapea staattisen sähkövarauksen alue. Yhdeltä puolelta korkeamman energian elektronit diffuusoituvat ensisijaisesti esteen poikki yhteen suuntaan, koska solueste estää elektroneja siirtymästä kerroksesta toiseen. Tämä johtaa virran ja siten jännitteen kennon yli. tunnetaan myös tilavarauksena tai tyhjennysvyöhykkeenä.
P-tyypin ja n-tyypin pii ovat kaksi erilaista puolijohdetyyppiä joita käytetään aurinkokennojen valmistukseen. Atomit, joiden ulompi energiataso on yksi vähemmän kuin piitä, kuten boori tai gallium, lisätään p-tyypin piin luomiseksi. Booriin muodostuu elektronivakanssi tai -reikä, koska siinä on yksi elektroni vähemmän kuin tarvitaan sidosten muodostamiseen lähialueen kanssa. pii atomia.
Lisäämällä alkuaineita, kuten fosforia, joiden ulkotasolla on yksi ylimääräinen elektroni kuin piillä, syntyy n-tyypin pii. Fosforin ulompi energiataso sisältää viisi elektronia, ei neljää. Se muodostaa sidoksia vieressä olevien piiatomien kanssa, mutta sidokset eivät sisällä yhtä elektronia. Sen sijaan se voi liikkua vapaasti piikehyksen sisällä.
Miten aurinkokenno tehdään?
A kerros p-tyypin pii on kerrostettu n-tyypin piikerroksen välissä aurinkokennon muodostamiseksi. n-tyypin kerroksessa on liian paljon elektroneja ja liian monta positiivisesti varautunutta reikää p-tyypin kerroksessa (jotka ovat vapaita työpaikkoja valenssielektronit).
Liitoksen toisella puolella (n-tyypin kerros) olevat elektronit siirtyvät reikiin, jotka sijaitsevat liitoksen vastakkaisella puolella lähellä kahden kerroksen risteystä (p-tyypin kerros). Tästä johtuen elektronit täyttävät yhteyden ympärille muodostuvan tyhjennysvyöhykkeen reiät.
Lue myös: Mikä on ACDB ja DCDB?
Tyhjennysvyöhykkeen p-tyypin puoli, jossa alun perin oli reikiä, on nyt täytetty negatiivisesti varautuneilla ioneilla, kun taas tyhjennysvyöhykkeen n-tyypin puoli, jossa oli aiemmin elektroneja, on nyt täynnä positiivisesti varautuneita ioneja. Nämä vastakkaiset ionit muodostavat sisäisen sähkökentän, joka estää n-tyypin kerroksen elektroneja täyttämästä p-tyypin kerroksen reikiä.
