La crescita epitassiale si riferisce alla formazione di un cristallo sopra un altro. La struttura reticolare del cristallo iniziale dirige la crescita del cristallo depositato. In termini più semplici, la crescita epitassiale è il processo di deposizione di un sottile strato (da 0.5 a 20 micron) di materiale monocristallino su un substrato monocristallino, tipicamente tramite deposizione chimica da fase vapore (CVD).
Quali sono le applicazioni degli strati epitassici?
Le applicazioni degli strati epitassici sono in vari segmenti:
- Dispositivi discreti e di potenza
- Epitassiale per dispositivi MOS
- Circuiti integrati
- L'epitassia viene utilizzata anche nei circuiti CMOS VLSI.
- Le forme epitassiche vengono utilizzate anche in dispositivi unipolari come i transistor a effetto di campo a giunzione (JFET), VMOS e la tecnologia DRAM.
Quali sono alcune tecniche di epitassia al silicio?
Alcune delle tecniche di epitassia al silicio sono:
1. Epitassia in fase liquida: La tecnica della soluzione viene utilizzata nell'epitassia in fase liquida (LPE) per far crescere i cristalli su un substrato. Il substrato viene immerso in una quantità satura di soluzione di soluto. Molti cristalli utilizzati nell'elettronica moderna e nei dispositivi optoelettronici , come l'arseniuro di gallio, vengono cresciuti utilizzando questo metodo.
2. Epitassia a fascio molecolare (MBE): è una tecnica sperimentale utilizzata per far crescere strati sottili di diversi materiali quantistici. L'MBE è una delle tecniche di crescita di film sottili più pulite disponibili, ma è anche una delle più difficili e impegnative dal punto di vista tecnico, poiché la crescita MBE avviene in un ambiente di ultra-alto vuoto (UHV).
Leggi anche : Cos'è il silicio cristallino?
