外部半导体是掺杂了特定杂质的半导体，这种杂质能够极大地改变半导体的电性能，非常适合电子（二极管、晶体管等）或光电应用（光发射器和探测器）。
在此过程中，将少量任何合适的杂质添加到纯材料中，使其导电性增加许多倍。非本征半导体也称为杂质半导体或掺杂半导体。
此 添加杂质的过程称为掺杂，而用作杂质的原子被称为掺杂剂。 掺杂 选择添加到材料中的成分，使得纯半导体的原始晶格不会发生扭曲。
此外，掺杂剂仅填充原始半导体晶体中的少数位置，并且掺杂剂的尺寸必须接近半导体原子的尺寸。
在掺杂四价Si或Ge等材料的过程中，会使用两种掺杂剂：
- 五价元素，或价数为 5 的原子，包括砷 (As)、磷 (Pi)、锑 (Sb) 等。
- 三价元素，或价数为 3 的原子；例如，铟 (In)、铝 (Al)、硼 (B) 等等。
P 型半导体
AP 型半导体是一种本征半导体（如 Si），其 有意添加受体杂质（如 Si 中的硼 B）.
这些杂质被称为受体，因为一旦插入晶体 格，它们缺少与晶体剩余部分完全结合所需的一个或多个电子。
掺杂剂密度总是远大于外部半导体中的本征载流子密度：NA>>ni。p 型材料中的空穴密度接近掺杂剂密度 NA。
另请参阅： 什么是非晶半导体？
N 型半导体
AN – 类型半导体是一种本征半导体（例如硅 Si），具有 故意引入供体杂质 （例如 Si 中的砷 As 或 GaAs 中的 Si）。施主杂质之所以如此命名，是因为它们必须向导带贡献一个额外的电子，才能与相邻原子形成所有键。
