用于转移的横向外延薄膜的劈裂或 CLEFT是一种生产低成本砷化镓 (GaAs) 光伏电池的方法，其中在厚的单晶 GaAs（或其他合适的材料）衬底上生长一层 GaAs 薄膜，然后将其从衬底上分离并集成到电池中，从而使衬底可以重复用于生长额外的 GaAs 薄膜。
CLEFT 如何帮助产生额外的细胞？
生长极薄的砷化镓薄膜是CLEFT（横向外延薄膜剥离转移）技术的一部分（在更厚的同种材料层上生长砷化镓太阳能电池）。生长完成后，可以通过从更厚的衬底上剥离轻松分离出太阳能电池。厚衬底可用于制造额外的电池，从而降低电池材料的成本。
CLEFT 的未来会怎样？
我们成功制备了直径2英寸、厚度小于10微米的GaAs CLEFT单晶薄膜。衬底制备和生长技术的最新进展使得CLEFT方法能够扩展到整个2英寸圆形晶圆。我们成功地在衬底上同时制备并剥离了2英寸厚的太阳能电池结构层。这项创新提高了制备高效薄膜太阳能电池的可能性，有望应用于广泛的地面应用。目前尺寸受限的唯一原因是本研究中使用的外延设备。我们相信，更大直径的CLEFT薄膜的制备将非常容易。
